Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

Conté anuncis

Sobre l'aplicació

L'aplicació està dissenyada per a un aprenentatge ràpid, revisions, referències en el moment dels exàmens i entrevistes.

Aquesta aplicació té 140 temes en 5 capítols, complets amb diagrames, equacions i altres formes de representacions gràfiques per a un millor aprenentatge i una comprensió ràpida.

Aquesta aplicació cobreix la majoria de temes relacionats i una explicació detallada amb tots els temes bàsics.

Alguns dels temes tractats a l'aplicació Dispositius electrònics són:

1. Condicions transitòries i a-c: variació temporal de la càrrega emmagatzemada
2. Fotodiode
3. Díode P-N-P-N
4. Rectificador controlat per semiconductors
5. Díode emissor de llum
6. Díode túnel
7. TRIAC
8. DIAC
9. Transistor bipolar de porta aïllada
10. Díode GUNN- Principi bàsic
11. Díode GUNN: el mecanisme d'electrons transferits
12. Díode PNPN- Bloqueig cap endavant i mode de conducció
13. Cèl·lula solar: principi de funcionament
14. Cèl·lula Solar- Característiques I-V
15. Rectificadors
16. El díode d'avaria
17. Fotodetectors
18. Equacions de fotodíodes
19. PIN FOTODIODE
20. Fotodiode d'allau
21. Materials emissors de llum
22. Díode IMPATT
23. Funcionament del díode IMPATT
24. Làsers semiconductors
25. Làsers semiconductors- Sota polarització directa
26. Funcionament de làsers d'heterounió
27. Transistors d'efecte de camp semiconductor metàl·lic (MESFET)
28. MESFET- El transistor d'alta mobilitat electrònica (HEMT)
29. El Metal Insulator Semiconductor FET (MISFET)
30. MISFET en diferents condicions de funcionament
31. El condensador MOS ideal
32. MOSFET: Efectes de superfícies reals
33. MOSFET: Càrrega d'interfície
34. MOSFET: Tensió llindar
35. Anàlisi de voltatge de capacitat MOS
36. MOSFET: Mesures de Capacitat dependents del temps
37. Característiques de corrent-tensió dels òxids de porta MOS
38. El MOSFET
39. MOSFET: Característiques de sortida
40. Conductància i transconductància del MOSFET
41. MOSFET: Característiques de transferència
42. MOSFET: Models de mobilitat
43. MOSFET: Camp transversal efectiu
44. Característiques del MOSFET l-V de canal curt
45. MOSFET: Control de Tensió Llindar
46. ​​MOSFET: Ajust de llindar per implantació d'ions
47. MOSFET: Efectes de biaix del substrat
48. MOSFET: Característiques del subllindar
49. Circuit equivalent per al MOSFET
50. Escalat MOSFET i efecte canal curt
51. MOSFET: efectes portadors calents
52. MOSFET: Baixada de barrera induïda per drenatge
53. Efecte de canal curt i efecte d'amplada estreta del MOSFET
54. Fuga de drenatge induïda per la porta en MOSFET
55. FONAMENTS DEL FUNCIONAMENT BJT
56. BJT: Resum del forat i el flux d'electrons en un transistor
57. FONAMENTS DEL FUNCIONAMENT BJT: Cruïlla PN
58. AMPLIFICACIÓ AMB BJTS
59. CONDICIONS D'EQUILIBRI: El potencial de contacte
60. Nivells d'equilibri Fermi
61. Càrrega espacial en una cruïlla
62. ABSORCIÓ ÒPTICA
63. EXPERIMENT D'ABSORCIÓ ÒPTICA
64. LUMINESCÈNCIA
65. Fotoluminescència

No es mostren tots els temes a causa de les limitacions de caràcters.

Característiques :
* Temes complets per capítol
* Disseny ric de la interfície d'usuari
* Mode de lectura còmode
* Temes importants de l'examen
* Interfície d'usuari molt senzilla
* Cobriu la majoria de temes
* Un clic per obtenir tot el llibre relacionat
* Contingut optimitzat per a mòbils
* Imatges optimitzades per a mòbils

Aquesta aplicació serà útil per a una referència ràpida. La revisió de tots els conceptes es pot acabar en unes quantes hores utilitzant aquesta aplicació.

Dispositius electrònics o Dispositius i circuits microelectrònics forma part dels cursos d'educació en enginyeria electrònica, elèctrica i informàtica de diverses universitats.

En lloc de donar-nos una puntuació més baixa, envieu-nos les vostres consultes, problemes i doneu-nos una valoració i suggeriments valuosos perquè puguem considerar-ho per a futures actualitzacions. Estarem encantats de resoldre'ls per tu.