Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

Contén anuncios

Acerca desta aplicación

A aplicación está deseñada para a aprendizaxe rápida, revisións, referencias no momento dos exames e das entrevistas.

Esta aplicación ten 140 temas en 5 capítulos, completos con diagramas, ecuacións e outras formas de representacións gráficas para unha mellor aprendizaxe e unha rápida comprensión.

Esta aplicación cobre a maioría dos temas relacionados e explicación detallada con todos os temas básicos.

Algúns dos temas tratados na aplicación Dispositivos electrónicos son:

1. Condicións transitorias e a-c: variación temporal da carga almacenada
2. Fotodiodo
3. Díodo P-N-P-N
4. Rectificador controlado por semicondutores
5. Diodo emisor de luz
6. Diodo túnel
7. TRIAC
8. DIAC
9. Transistor bipolar de porta illada
10. Díodo GUNN- Principio básico
11. Díodo GUNN-O mecanismo de electróns transferidos
12. Díodo PNPN- Bloqueo directo e modo de condución
13. Célula solar- Principio de funcionamento
14. Célula Solar- Características I-V
15. Rectificadores
16. O diodo de avaría
17. Fotodetectores
18. Ecuacións do fotodiodo
19. FOTODIODO PIN
20. Fotodiodo de avalancha
21. Materiais emisores de luz
22. Díodo IMPATT
23. Funcionamento do diodo IMPATT
24. Láseres semicondutores
25. Láseres semicondutores- Baixo polarización directa
26. Funcionamento de láseres de heterounión
27. Transistores de efecto de campo semicondutores metálicos (MESFET)
28. MESFET- O transistor de alta mobilidade electrónica (HEMT)
29. O FET de semicondutores illantes metálicos (MISFET)
30. MISFET en diferentes condicións de funcionamento
31. O condensador MOS ideal
32. MOSFET: Efectos das superficies reais
33. MOSFET: Carga de interface
34. MOSFET: Tensión límite
35. Análise de voltaxe de capacitancia MOS
36. MOSFET: Medidas de capacitancia dependentes do tempo
37. Características de corrente-tensión dos óxidos de porta MOS
38. O MOSFET
39. MOSFET: Características de saída
40. Condutividade e transcondutividade do MOSFET
41. MOSFET: Características de transferencia
42. MOSFET: Modelos de Mobilidade
43. MOSFET: Campo transversal efectivo
44. Características MOSFET l-V de canle curto
45. MOSFET: Control da tensión de umbral
46. ​​MOSFET: Axuste de limiar por implantación de ións
47. MOSFET: Efectos de polarización do substrato
48. MOSFET: Características do sublimiar
49. Circuíto equivalente para o MOSFET
50. Escalado MOSFET e efecto de canle curto
51. MOSFET: efectos portadores quentes
52. MOSFET: baixada de barreira inducida por drenaxe
53. Efecto de canle curto e efecto de ancho estreito de MOSFET
54. Fuga de drenaxe inducida pola porta en MOSFET
55. FUNDAMENTOS DO FUNCIONAMENTO BJT
56. BJT: Resumo do burato e do fluxo de electróns nun transistor
57. FUNDAMENTOS DO FUNCIONAMENTO BJT: unión PN
58. AMPLIFICACIÓN CON BJTS
59. CONDICIÓNS DE EQUILIBRIO: O potencial de contacto
60. Niveis de equilibrio de Fermi
61. Carga espacial nun cruce
62. ABSORCIÓN ÓPTICA
63. EXPERIMENTO DE ABSORCIÓN ÓPTICA
64. LUMINESCENCIA
65. Fotoluminiscencia

Non se enumeran todos os temas por mor das limitacións de carácter.

Características :
* Temas completos por capítulos
* Deseño rico da interface de usuario
* Modo de lectura cómodo
* Temas importantes do exame
* Interface de usuario moi sinxela
* Cubrir a maioría dos temas
* Un clic para obter todo o libro relacionado
* Contido optimizado para móbiles
* Imaxes optimizadas para móbiles

Esta aplicación será útil para unha referencia rápida. A revisión de todos os conceptos pódese rematar en varias horas usando esta aplicación.

Dispositivos electrónicos ou Dispositivos e circuítos microelectrónicos forma parte dos cursos de educación en enxeñaría electrónica, eléctrica e informática de varias universidades.

En lugar de darnos unha valoración máis baixa, envíanos por correo electrónico as túas consultas, problemas e dános unha valoración e suxestión valiosas para que poidamos considerala para futuras actualizacións. Estaremos encantados de resolvelos por ti.