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Alcuni degli argomenti trattati nell'app Dispositivi elettronici sono:
1. Condizioni transitorie e a-c: variazione temporale della carica immagazzinata
2. Fotodiodo
3. Diodo P-N-P-N
4. Raddrizzatore controllato a semiconduttore
5. Diodo emettitore di luce
6. Diodo a tunnel
7. TRIAC
8. DIAC
9. Transistor bipolare a gate isolato
10. Diodo GUNN - Principio di base
11. Diodo GUNN: il meccanismo degli elettroni trasferiti
12. Diodo PNPN: modalità di blocco e conduzione in avanti
13. Principio di funzionamento delle celle solari
14. Caratteristiche della cella solare-IV
15. Raddrizzatori
16. Il diodo di guasto
17. Fotorilevatori
18. Equazioni del fotodiodo
19. FOTODIODO A PIN
20. Fotodiodo a valanga
21. Materiali che emettono luce
22. Diodo IMPATT
23. Funzionamento del diodo IMPATT
24. Laser a semiconduttore
25. Laser a semiconduttore: polarizzati in avanti
26. Operazione dei laser ad eterogiunzione
27. Transistor a effetto di campo a semiconduttore metallico (MESFET)
28. MESFET- Il transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT)
29. Il metallo isolante semiconduttore FET (MISFET)
30. MISFET in diverse condizioni operative
31. Il condensatore MOS ideale
32. MOSFET: effetti delle superfici reali
33. MOSFET: carica interfaccia
34. MOSFET: tensione di soglia
35. Analisi della tensione di capacità MOS
36. MOSFET: misure di capacità dipendenti dal tempo
37. Caratteristiche di corrente-tensione degli ossidi di gate MOS
38. Il MOSFET
39. MOSFET: caratteristiche di uscita
40. Conduttanza e Transconduttanza del MOSFET
41. MOSFET: caratteristiche di trasferimento
42. MOSFET: modelli di mobilità
43. MOSFET: campo trasversale effettivo
44. Caratteristiche MOSFET l-V a canale corto
45. MOSFET: controllo della tensione di soglia
46. MOSFET: regolazione della soglia mediante impianto ionico
47. MOSFET: effetti di distorsione del substrato
48. MOSFET: Caratteristiche sotto soglia
49. Circuito equivalente per il MOSFET
50. Effetto scala MOSFET e canale corto
51. MOSFET: effetti portanti caldi
52. MOSFET: abbassamento della barriera indotto dal drenaggio
53. Effetto a canale corto e effetto a larghezza ridotta del MOSFET
54. Perdita di drenaggio indotta dal gate nel MOSFET
55. FONDAMENTALI DELL'OPERAZIONE DI BJT
56. BJT: Riepilogo del flusso di lacune e di elettroni in un transistor
57. FONDAMENTALI DELL'OPERAZIONE BJT: giunzione PN
58. AMPLIFICAZIONE CON BJTS
59. CONDIZIONI DI EQUILIBRIO: Il potenziale di contatto
60. Livelli di equilibrio di Fermi
61. Carica spaziale a un incrocio
62. ASSORBIMENTO OTTICO
63. ESPERIMENTO DI ASSORBIMENTO OTTICO
64. LUMINSCENZA
65. Fotoluminescenza
Tutti gli argomenti non sono elencati a causa di limitazioni di carattere.
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Dispositivi elettronici o dispositivi e circuiti microelettronici fa parte di corsi di formazione in ingegneria elettronica, elettrica e informatica di varie università.
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Ultimo aggiornamento
3 set 2024