Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

Yra skelbimų

Apie šią programą

Programėlė skirta greitam mokymuisi, peržiūrai, nuorodoms egzaminų ir pokalbių metu.

Šioje programoje yra 140 temų 5 skyriuose su diagramomis, lygtimis ir kitomis grafinėmis vaizdų formomis, kad būtų galima geriau mokytis ir greitai suprasti.

Ši programa apima daugumą susijusių temų ir išsamų paaiškinimą su visomis pagrindinėmis temomis.

Kai kurios elektroninių įrenginių programoje nagrinėjamos temos yra:

1. Laikinosios ir kintamos srovės sąlygos: saugomo krūvio laiko kitimas
2. Fotodiodas
3. P-N-P-N diodas
4. Puslaidininkinis lygintuvas
5. Šviesos diodas
6. Tunelinis diodas
7. TRIAC
8. DIAC
9. Izoliuotas vartų dvipolis tranzistorius
10. GUNN diodas- Pagrindinis principas
11. GUNN diodas – perkeltų elektronų mechanizmas
12. PNPN diodas – pirmyn blokavimo ir laidumo režimas
13. Saulės elementų veikimo principas
14. Saulės elementų- I-V charakteristikos
15. Lygintuvai
16. Suskirstymo diodas
17. Fotodetektoriai
18. Fotodiodų lygtys
19. PIN FOTODIODAS
20. Lavinos fotodiodas
21. Šviesą skleidžiančios medžiagos
22. IMPATT diodas
23. IMPATT diodo veikimas
24. Puslaidininkiniai lazeriai
25. Puslaidininkiniai lazeriai- pagal į priekį nukreiptą
26. Heterojungtinių lazerių veikimas
27. Metaliniai puslaidininkiniai lauko efekto tranzistoriai (MESFET)
28. MESFET – didelio elektronų mobilumo tranzistorius (HEMT)
29. Metalo izoliatoriaus puslaidininkinis FET (MISFET)
30. MISFET skirtingomis veikimo sąlygomis
31. Idealus MOS kondensatorius
32. MOSFET: Realių paviršių efektai
33. MOSFET: sąsajos įkrovimas
34. MOSFET: slenkstinė įtampa
35. MOS talpos įtampos analizė
36. MOSFET: nuo laiko priklausomi talpos matavimai
37. MOS vartų oksidų srovės įtampos charakteristikos
38. MOSFET
39. MOSFET: išvesties charakteristikos
40. MOSFET laidumas ir translaidumas
41. MOSFET: perdavimo charakteristikos
42. MOSFET: mobilumo modeliai
43. MOSFET: Efektyvus skersinis laukas
44. Trumpojo kanalo MOSFET l-V charakteristikos
45. MOSFET: slenkstinės įtampos valdymas
46. ​​MOSFET: slenksčio reguliavimas naudojant jonų implantaciją
47. MOSFET: substrato poslinkio efektai
48. MOSFET: antrinės slenkstinės charakteristikos
49. MOSFET lygiavertė grandinė
50. MOSFET mastelio keitimas ir trumpo kanalo efektas
51. MOSFET: karštojo nešiklio efektai
52. MOSFET: nutekėjimo sukeltas barjero sumažinimas
53. MOSFET trumpojo kanalo efektas ir siauro pločio efektas
54. MOSFET vartų sukeltas drenažo nutekėjimas
55. BJT VEIKLOS PAGRINDAI
56. BJT: skylės ir elektronų srauto tranzistoryje santrauka
57. BJT VEIKLOS PAGRINDAI: PN sandūra
58. APLIFIKAVIMAS SU BJTS
59. PUSIAUSVYROS SĄLYGOS: Kontakto potencialas
60. Pusiausvyros Fermi lygiai
61. Erdvės krūvis sankryžoje
62. OPTINĖ ASORBCIJOS
63. OPTINĖS ABSORBCIJOS EKSPERIMENTAS
64. LUMINESCENCIJA
65. Fotoliuminescencija

Visos temos nėra įtrauktos į sąrašą dėl simbolių apribojimų.

Funkcijos :
* Pagal skyrių užbaigtos temos
* Turtingas vartotojo sąsajos išdėstymas
* Patogus skaitymo režimas
* Svarbios egzaminų temos
* Labai paprasta vartotojo sąsaja
* Apimkite daugumą temų
* Vienu spustelėjimu susisiekite visą knygą
* Mobiliesiems optimizuotas turinys
* Mobiliesiems optimizuoti vaizdai

Ši programa bus naudinga norint greitai sužinoti. Naudojant šią programą, visų koncepcijų peržiūra gali būti baigta per kelias valandas.

Elektroniniai įrenginiai arba mikroelektroniniai įrenginiai ir grandinės yra įvairių universitetų elektronikos, elektros ir informatikos inžinerijos mokymo kursų dalis.

Užuot suteikę mums žemesnį įvertinimą, atsiųskite mums savo užklausas, problemas ir pateikite vertingų įvertinimų bei pasiūlymų, kad galėtume tai apsvarstyti būsimiems atnaujinimams. Mes mielai juos išspręsime už jus.