Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

ကြော်ငြာများ ပါရှိပါသည်

ဤအက်ပ်အကြောင်း

အက်ပလီကေးရှင်းသည် စာမေးပွဲများနှင့် အင်တာဗျူးများပြုလုပ်သည့်အချိန်တွင် အမြန်သင်ယူမှု၊ ပြန်လည်ပြင်ဆင်မှုများ၊ အကိုးအကားများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။

ဤအက်ပ်တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သောသင်ယူမှုနှင့် လျင်မြန်စွာနားလည်နိုင်စေရန်အတွက် ပုံကြမ်းများ၊ ညီမျှခြင်းများနှင့် အခြားဂရပ်ဖစ်ကိုယ်စားပြုပုံစံများပါရှိသော အခန်း 5 ခုတွင် ခေါင်းစဉ်ပေါင်း 140 ပါရှိသည်။

ဤအက်ပ်သည် ဆက်စပ်အကြောင်းအရာအများစုနှင့် အခြေခံအကြောင်းအရာများအားလုံးကို အသေးစိတ်ရှင်းလင်းချက်ဖြင့် အကျုံးဝင်ပါသည်။

အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများအက်ပ်တွင် ပါဝင်သည့် အကြောင်းအရာအချို့မှာ-

1. ယာယီနှင့် a-c အခြေအနေများ- သိမ်းဆည်းထားသော အခကြေးငွေ၏ အချိန်ပြောင်းလဲမှု
2. Photodiode
3. P-N-P-N diode
4. Semiconductor Controlled Rectifier
5. Light Emitting Diode
6. Tunnel Diode
7. TRIAC
8. DIAC
9. Insulated Gate Bipolar Transistor
10. Gunn diode- အခြေခံမူ
11. Gunn diode-လွှဲပြောင်းအီလက်ထရွန်ယန္တရား
12. PNPN diode- ရှေ့သို့ပိတ်ဆို့ခြင်းနှင့် လုပ်ဆောင်ခြင်းမုဒ်
13. Solar Cell- အလုပ်လုပ်ပုံအခြေခံ
14. Solar Cell- I-V လက္ခဏာများ
15. Rectifiers
16. The Breakdown Diode
17. Photodetectors
18. Photodiode ညီမျှခြင်း
19. ပင်နံပါတ် ဓာတ်ပုံ
20. Avalanche Photodiode
21. အလင်းထုတ်လွှတ်သောပစ္စည်းများ
22. IMPATT diode
23. IMPATT diode လည်ပတ်မှု
24. Semiconductor လေဆာများ
25. Semiconductor လေဆာများ- ရှေ့ဘက် ဘက်လိုက်မှုအောက်တွင်
26. Heterojunction လေဆာများ လည်ပတ်မှု
27. သတ္တုတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှုထရန်စစ္စတာများ (MESFET)
28. MESFET- High Electron Mobility Transistor (HEMT)
29. သတ္တုလျှပ်ကာ Semiconductor FET (MISFET)
30. မတူညီသောလည်ပတ်မှုအခြေအနေအောက်တွင် MISFET
31. စံပြ MOS Capacitor
32. MOSFET- မျက်နှာပြင်များ၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုများ
33. MOSFET- အင်တာဖေ့စ်အားသွင်းခြင်း။
34. MOSFET: Threshold ဗို့အား
35. MOS Capacitance ဗို့အားခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။
36. MOSFET- အချိန်ပေါ်မူတည်၍ စွမ်းဆောင်ရည်တိုင်းတာမှုများ
37. MOS Gate Oxides ၏ Current-Voltage လက္ခဏာများ
38. MOSFET
39. MOSFET: ထုတ်ပေးသည့် လက္ခဏာများ
40. MOSFET ၏ ကျင့်ကြံမှုနှင့် အသွင်ကူးပြောင်းမှု
41. MOSFET- လွှဲပြောင်းခြင်း လက္ခဏာများ
42. MOSFET- ရွေ့လျားနိုင်မှု မော်ဒယ်များ
43. MOSFET- ထိရောက်သော အသွင်ပြောင်းအကွက်
44. Short Channel MOSFET l-V လက္ခဏာများ
45. MOSFET- Threshold Voltage ကို ထိန်းချုပ်ခြင်း။
46. ​​MOSFET- Ion Implantation ဖြင့် အတိုင်းအတာ ချိန်ညှိခြင်း။
47. MOSFET - ကြမ်းပြင်ဘက်လိုက်သက်ရောက်မှုများ
48. MOSFET- သတ်မှတ်ချက်ငယ် လက္ခဏာများ
49. MOSFET အတွက် ညီမျှသောပတ်လမ်း
50. MOSFET အတိုင်းအတာနှင့် အတိုချုံး ချန်နယ်အကျိုးသက်ရောက်မှု
51. MOSFET - ပူသောကယ်ရီယာအကျိုးသက်ရောက်မှုများ
52. MOSFET- Drain-Induced Barrier နှိမ့်ချခြင်း။
53. Short Channel Effect နှင့် MOSFET ၏ ကျဉ်းသော Width အကျိုးသက်ရောက်မှု
54. MOSFET တွင် Gate-Induced Drain ယိုစိမ့်ခြင်း။
55. BJT လုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှု၏ အခြေခံအချက်များ
56. BJT- ထရန်စစ္စတာတွင် အပေါက်နှင့် အီလက်ထရွန် စီးဆင်းမှု အကျဉ်းချုပ်
57. BJT လည်ပတ်မှု၏ အခြေခံအချက်များ- PN လမ်းဆုံ
58. BJTS ဖြင့် ချဲ့ထွင်ခြင်း။
59. ညီမျှသောအခြေအနေများ- ဆက်သွယ်ရန်အလားအလာ
60. Equilibrium Fermi အဆင့်များ
61. လမ်းဆုံတွင် Space Charge
62. Optical Absorption
63. Optical Absorption စမ်းသပ်မှု
64. တောက်ပမှု
65. Photoluminescence

ဇာတ်ကောင်ကန့်သတ်ချက်များကြောင့် အကြောင်းအရာအားလုံးကို မဖော်ပြထားပါ။

အင်္ဂါရပ်များ :
* အခန်းတွင် ပြည့်စုံသော အကြောင်းအရာများ
* ကြွယ်ဝသော UI အပြင်အဆင်
* အဆင်ပြေသောစာဖတ်ခြင်းမုဒ်
* အရေးကြီးသောစာမေးပွဲအကြောင်းအရာများ
* အလွန်ရိုးရှင်းသော User Interface
* အကြောင်းအရာအများစုကို ဖုံးအုပ်ပါ။
* တစ်ချက်နှိပ်ရုံဖြင့် ဆက်စပ်စာအုပ်အားလုံးကို ရယူလိုက်ပါ။
* Mobile Optimized အကြောင်းအရာ
* Mobile Optimized ပုံများ

ဤအက်ပ်သည် အမြန်ကိုးကားမှုအတွက် အသုံးဝင်ပါလိမ့်မည်။ ဤအက်ပ်ကို အသုံးပြု၍ သဘောတရားအားလုံး၏ ပြန်လည်ပြင်ဆင်မှုကို နာရီပေါင်းများစွာအတွင်း အပြီးသတ်နိုင်သည်။

အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများ သို့မဟုတ် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများနှင့် ဆားကစ်များသည် တက္ကသိုလ်အသီးသီး၏ အီလက်ထရွန်းနစ်၊ လျှပ်စစ်နှင့် ကွန်ပျူတာသိပ္ပံ အင်ဂျင်နီယာပညာပေးသင်တန်းများ၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့အား အဆင့်သတ်မှတ်ပေးမည့်အစား သင့်မေးမြန်းချက်များ၊ ပြဿနာများကို ကျွန်ုပ်တို့ထံ စာပို့ကာ တန်ဖိုးရှိသော အဆင့်သတ်မှတ်ခြင်းနှင့် အကြံပြုချက်ပေးခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့အား အနာဂတ်မွမ်းမံမှုများအတွက် ထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်ပါသည်။ သင့်အတွက် ၎င်းတို့ကို ဖြေရှင်းရန် ကျွန်ုပ်တို့ ကျေနပ်ပါသည်။