Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

Conține anunțuri

Despre aplicație

Aplicația este concepută pentru învățare rapidă, revizuiri, referințe la momentul examenelor și interviurilor.

Această aplicație are 140 de subiecte în 5 capitole, complete cu diagrame, ecuații și alte forme de reprezentări grafice pentru o mai bună învățare și o înțelegere rapidă.

Această aplicație acoperă majoritatea subiectelor conexe și explicații detaliate cu toate subiectele de bază.

Unele dintre subiectele abordate în aplicația Dispozitive electronice sunt:

1. Condiții tranzitorii și a-c: variația în timp a sarcinii stocate
2. Fotodiodă
3. Dioda P-N-P-N
4. Redresor controlat cu semiconductor
5. Dioda emițătoare de lumină
6. Dioda tunel
7. TRIAC
8. DIAC
9. Tranzistor bipolar cu poartă izolată
10. Dioda GUNN- Principiu de bază
11. Dioda GUNN-Mecanismul de electroni transferați
12. Dioda PNPN- Modul de blocare și conducere înainte
13. Celula solară - Principiul de funcționare
14. Celula solară- Caracteristici I-V
15. Redresoare
16. Dioda de avarie
17. Fotodetectoare
18. Ecuațiile fotodiodelor
19. FOTODIODA PIN
20. Fotodiodă avalanșă
21. Materiale care emit lumină
22. Dioda IMPATT
23. Funcționarea diodei IMPATT
24. Laserele semiconductoare
25. Laseruri semiconductoare- Sub polarizare directă
26. Funcționarea cu lasere heterojoncții
27. Tranzistoare metalice cu efect de câmp cu semiconductor (MESFET)
28. MESFET- Tranzistorul de mare mobilitate a electronilor (HEMT)
29. FET-ul semiconductor cu izolator metalic (MISFET)
30. MISFET în diferite condiții de funcționare
31. Condensatorul MOS ideal
32. MOSFET: Efectele suprafețelor reale
33. MOSFET: Încărcare interfață
34. MOSFET: Tensiune de prag
35. Analiza tensiunii capacităţii MOS
36. MOSFET: Măsurători de capacitate în funcție de timp
37. Caracteristicile curent-tensiune ale oxizilor de poartă MOS
38. MOSFET-ul
39. MOSFET: Caracteristici de ieșire
40. Conductanța și transconductanța MOSFET
41. MOSFET: Caracteristici de transfer
42. MOSFET: Modele de mobilitate
43. MOSFET: Câmp transversal efectiv
44. Caracteristici MOSFET l-V canal scurt
45. MOSFET: Controlul tensiunii de prag
46. ​​MOSFET: Ajustarea pragului prin implantare ionică
47. MOSFET: Efecte de părtinire a substratului
48. MOSFET: Caracteristici sub prag
49. Circuit echivalent pentru MOSFET
50. Scalare MOSFET și efect de canal scurt
51. MOSFET: Efecte purtătoare fierbinți
52. MOSFET: Coborârea barierei indusă de drenaj
53. Efectul de canal scurt și efectul de lățime îngustă al MOSFET
54. Scurgeri de scurgere induse de poartă în MOSFET
55. FUNDAMENTELE OPERĂRII BJT
56. BJT: Rezumatul găurii și fluxului de electroni într-un tranzistor
57. FUNDAMENTELE OPERĂRII BJT: Joncțiune PN
58. AMPLIFICARE CU BJTS
59. CONDIȚII DE ECHILIBRI: Potențialul de contact
60. Niveluri de echilibru Fermi
61. Încărcare spațială la o intersecție
62. ABSORBȚIA OPTICĂ
63. EXPERIMENTUL DE ABSORBȚIE OPTICĂ
64. LUMINESCENZA
65. Fotoluminiscență

Toate subiectele nu sunt listate din cauza limitărilor de caractere.

Caracteristici :
* Subiecte complete în funcție de capitol
* Aspect UI bogat
* Mod de citire confortabil
* Subiecte importante ale examenului
* Interfață de utilizator foarte simplă
* Acoperă majoritatea subiectelor
* Un clic pentru a afla toate cărțile legate
* Conținut optimizat pentru mobil
* Imagini optimizate pentru mobil

Această aplicație va fi utilă pentru referință rapidă. Revizuirea tuturor conceptelor poate fi finalizată în câteva ore folosind această aplicație.

Dispozitive electronice sau Dispozitive și circuite microelectronice face parte din cursurile de educație în domeniul electronicii, electrice și informatice ale diferitelor universități.

În loc să ne acordați o evaluare mai mică, vă rugăm să ne trimiteți prin e-mail întrebările, problemele și oferiți-ne evaluări și sugestii valoroase, astfel încât să le putem lua în considerare pentru actualizările viitoare. Vom fi bucuroși să le rezolvăm pentru dvs.