Semiconductor Device & Circuit

Engineering Wale Baba

Утрымлівае аб’явы

Пра гэту праграму

Гэта дадатак «Паўправадніковыя прылады і схемы» прызначана для хуткага навучання, пераглядаў, рэкамендацый падчас экзаменаў і інтэрв'ю.

Гэта дадатак для паўправадніковых прылад мае 160 тэм з падрабязнымі нататкамі, дыяграмамі, раўнаннямі, формуламі і матэрыялам курса, тэмы пералічаны ў 5 раздзелах. Прыкладанне павінна быць для ўсіх студэнтаў інжынерных навук.

Паўправадніковыя прылады - гэта не што іншае, як электронныя кампаненты, якія выкарыстоўваюць электронныя ўласцівасці паўправадніковых матэрыялаў, такіх як крэмній, германій і арсенід галію, а таксама арганічных паўправаднікоў.

Гэта дадатак ахоплівае большасць сумежных тэм і падрабязнае тлумачэнне з усімі асноўнымі тэмамі.

Некаторыя з тэм, якія разглядаюцца ў электроннай кнізе Engineering:

1. Эксперымент Хейнса-Шоклі
2. Паўправадніковыя матэрыялы
3. Крышталёвая рашотка
4. Кубічныя рашоткі
5. Самалёты і напрамкі
6. Алмазная рашотка
7. Аб'ёмны рост крышталяў
8. Вырошчванне монакрысталічных зліткаў
9. Вафлі
10. Эпітаксіяльны рост
11. Парафазная эпітаксія
12. Малекулярна-прамянёвая эпітаксія
13. Носьбіты зарада ў паўправадніках
14. Эфектыўная Імша
15. Унутраны матэрыял
16. Знешні матэрыял
17. Электроны і дзіркі ў квантавых лунках
18. Узровень Фермі
19. Кампенсацыя і нейтральнасць касмічнага зарада
20. Дрэйф і супраціў
21. Аптычнае паглынанне
22. Фоталюмінесцэнцыя
23. Электралюмінесцэнцыя
24. Час жыцця носьбіта і фотаправоднасць
25. Прамая рэкамбінацыя электронаў і дзірак
26. Непрамая рэкамбінацыя; Пастка
27. Устойлівае генераванне носьбітаў; Квазі-ўзроўні Фермі
28. Фотаправодныя прылады
29. Дыфузійныя працэсы
30. Дыфузія і дрэйф носьбітаў: убудаваныя палі
31. Дыфузія і рэкамбінацыя; Ураўненне бесперапыннасці
32. Стацыянарная ін'екцыя носьбіта: даўжыня дыфузіі
33. Градыенты на квазі-Фермі ўзроўнях
34. Тэмпературная залежнасць канцэнтрацый носьбітаў
35. Уплыў тэмпературы і допінгу на рухомасць
36. Эфекты высокага поля
37. Эфект Хола
38. Выраб p-n-пераходаў: тэрмічнае акісленне
39. Дыфузія P-N пераходу
40. Хуткая тэрмічная апрацоўка
41. Іённая імплантацыя
42. Хімічнае асаджэнне з пары (CVD)
43. Фоталітаграфія
44. Афорт
45. Металізацыя
46. ​​Умовы раўнавагі
47. Раўнаважныя ўзроўні Фермі
48. Касмічны зарад на стыку
49. Пераходныя і зваротныя зрушэнні
50. Ін'екцыя носьбіта
51. Зваротны ўхіл
52. Разбіўка зваротнага зрушэння
53. Стабілітрон
54. Лавінны прабой
55. Выпрамнікі
56. Прабойны дыёд
57. Пераходныя і пераменныя ўмовы
58. Пераходны працэс зваротнага аднаўлення
59. Ідэальная мадэль дыёда
60. Уплыў кантактнага патэнцыялу на ін'екцыю носьбіта
61. Камутацыйныя дыёды
62. Ёмістасць p-n-пераходаў
63. Рэкамбінацыя і генерацыя ў пераходным рэгіёне
64. Амічныя страты
65. Градуяваныя злучэнні
66. Металічныя паўправадніковыя пераходы: бар'еры Шоткі
67. Бягучыя транспартныя працэсы
68. Тэорыя тэрмаэлектроннай эмісіі
69. Тэорыя дыфузіі
70. Тэорыя тэрмаэмісійнай дыфузіі
71. Выпраўленне кантактаў
72. Тунэльны ток
73. Ін'екцыя мінарытарнага носьбіта
74. Тунэльны дыёд МІС
75. Вымярэнне вышыні бар'ера
76. Актывацыя-вымярэнне энергіі
77. Фотаэлектрычнае вымярэнне
78. Амічныя кантакты

Усе тэмы не ў спісе з-за абмежавання сімвалаў.

Кожная тэма дапоўнена дыяграмамі, ураўненнем і іншымі формамі графічнага прадстаўлення для лепшага засваення і хуткага разумення.

Асаблівасці :
* Раздзел мудры поўныя тэмы
* Багаты макет карыстацкага інтэрфейсу
* Зручны рэжым чытання
* Важныя тэмы экзамену
* Вельмі просты карыстальніцкі інтэрфейс
* Асвятленне большасці тэм
* Адным пстрычкай мышы атрымаць звязаныя Усе кнігі
* Мабільны аптымізаваны кантэнт
* Мабільныя аптымізаваныя выявы

Гэта дадатак будзе карысна для хуткай даведкі. Перагляд усіх канцэпцый можа быць завершаны на працягу некалькіх гадзін з дапамогай гэтага прыкладання.

Замест таго, каб даваць нам больш нізкі рэйтынг, калі ласка, дасылайце нам свае запыты, праблемы і дайце нам каштоўную ацэнку і прапановы, каб мы маглі разгледзець гэта для будучых абнаўленняў. Мы будзем рады вырашыць іх для вас.