Semiconductor Device & Circuit

Engineering Wale Baba

Sisaldab reklaame

Rakenduse teave

See pooljuhtseadmete ja vooluahelate rakendus on mõeldud kiireks õppimiseks, muudatusteks, viideteks eksamite ja intervjuude ajal.

Sellel pooljuhtseadme rakendusel on 160 teemat koos üksikasjalike märkuste, diagrammide, võrrandite, valemite ja õppematerjalidega, teemad on loetletud 5 peatükis. Rakendus peab olema kõigi inseneriteaduste üliõpilaste jaoks.

Pooljuhtseadmed pole muud kui elektroonilised komponendid, mis kasutavad ära pooljuhtmaterjalide, nagu räni, germaaniumi ja galliumarseniidi, aga ka orgaaniliste pooljuhtide elektroonilisi omadusi.

See rakendus hõlmab enamikku seotud teemasid ja üksikasjalikku selgitust kõigi põhiteemadega.

Mõned e-raamatus "Inseneriteadused" käsitletavad teemad on järgmised:

1. Haynes-Shockley eksperiment
2. Pooljuhtmaterjalid
3. Kristallvõre
4. Kuupvõred
5. Lennukid ja suunad
6. Teemantvõre
7. Hulgikristallide kasv
8. Single Crystal valuplokkide kasv
9. Vahvlid
10. Epitaksiaalne kasv
11. Aurufaasi epitaksia
12. Molekulaarkiire epitaksia
13. Laengukandjad pooljuhtides
14. Efektiivne missa
15. Sisemine materjal
16. Väline materjal
17. Elektronid ja augud kvantkaevudes
18. Fermi tase
19. Kompensatsioon ja ruumilaengu neutraalsus
20. Triiv ja vastupanu
21. Optiline neeldumine
22. Fotoluminestsents
23. Elektroluminestsents
24. Kandja eluiga ja fotojuhtivus
25. Elektronide ja aukude otsene rekombinatsioon
26. Kaudne rekombinatsioon; Lõksu püüdmine
27. Stabiilse oleku kandja genereerimine; Kvaasi-Fermi tasemed
28. Fotojuhtivad seadmed
29. Difusiooniprotsessid
30. Kandjate difusioon ja triiv: sisseehitatud väljad
31. Difusioon ja rekombinatsioon; Järjepidevuse võrrand
32. Püsiseisundi kandja süstimine: difusiooni pikkus
33. Gradiendid kvaasi-Fermi tasanditel
34. Kandja kontsentratsioonide sõltuvus temperatuurist
35. Temperatuuri ja dopingu mõju liikuvusele
36. Kõrgvälja efektid
37. Halli efekt
38. P-n-ristmike valmistamine: termiline oksüdatsioon
39. P-N ristmiku difusioon
40. Kiire termiline töötlemine
41. Ioonide implantatsioon
42. Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD)
43. Fotolitograafia
44. Ofort
45. Metalliseerimine
46. ​​Tasakaalutingimused
47. Fermi tasakaalutasemed
48. Kosmoselaeng ristmikul
49. Edasi- ja tagasisuunalised ristmikud
50. Kandja süstimine
51. Reverse Bias
52. Reverse-Bias Jaotus
53. Zeneri jaotus
54. Laviini purunemine
55. Alaldid
56. Jaotusdiood
57. Mööduvad ja A-C tingimused
58. Reverse Recovery Transient
59. Ideaalne dioodimudel
60. Kontaktpotentsiaali mõju kandja süstimisele
61. Lülitusdioodid
62. P-n-siirde mahtuvus
63. Rekombinatsioon ja genereerimine üleminekupiirkonnas
64. Ohmilised kaod
65. Gradeeritud ristmikud
66. Metallist pooljuhtide ristmikud: Schottky tõkked
67. Praegused transpordiprotsessid
68. Termoemissiooni teooria
69. Difusiooniteooria
70. Termo-emissiooni-difusiooni teooria
71. Kontaktide parandamine
72. Tunnelivool
73. Vähemusrahvuse kandja süstimine
74. MIS tunneli diood
75. Tõkke kõrguse mõõtmine
76. Aktiveerimine-energia mõõtmine
77. Fotoelektriline mõõtmine
78. Ohmic kontaktid

Kõik teemad pole tähemärgipiirangute tõttu loetletud.

Iga teema sisaldab diagramme, võrrandeid ja muid graafilisi esitusviise, et paremini õppida ja kiiremini aru saada.

Funktsioonid :
* Peatüki järgi lõpetage teemad
* Rikkalik kasutajaliidese paigutus
* Mugav lugemisrežiim
* Olulised eksamiteemad
* Väga lihtne kasutajaliides
* Hõlmab enamikku teemasid
* Ühe klõpsuga saate seotud kogu raamatu
* Mobiilile optimeeritud sisu
* Mobiilile optimeeritud pildid

See rakendus on kiireks viitamiseks kasulik. Selle rakenduse abil saab kõigi kontseptsioonide läbivaatamise lõpule viia mitme tunni jooksul.

Selle asemel, et anda meile madalam hinnang, saatke meile oma päringud ja probleemid ning andke meile väärtuslik hinnang ja soovitus, et saaksime seda tulevaste värskenduste jaoks kaaluda. Lahendame need teie eest hea meelega.