Semiconductor Device & Circuit

Engineering Wale Baba

Yra skelbimų

Apie šią programą

Ši puslaidininkinių įrenginių ir grandinių programa skirta greitam mokymuisi, peržiūroms, nuorodoms egzaminų ir pokalbių metu.

Šioje puslaidininkinio įrenginio programoje yra 160 temų su išsamiomis pastabomis, diagramomis, lygtimis, formulėmis ir kurso medžiaga, temos išvardytos 5 skyriuose. Programą privalo turėti visi inžinerijos mokslų studentai.

Puslaidininkiniai įtaisai yra ne kas kita, kaip elektroniniai komponentai, kurie išnaudoja puslaidininkinių medžiagų, tokių kaip silicis, germanis ir galio arsenidas, elektronines savybes, taip pat organinius puslaidininkius.

Ši programa apima daugumą susijusių temų ir išsamų paaiškinimą su visomis pagrindinėmis temomis.

Kai kurios temos, aptariamos inžinerijos el. knygoje, yra šios:

1. Hayneso-Shockley eksperimentas
2. Puslaidininkinės medžiagos
3. Kristalinė gardelė
4. Kubinės grotelės
5. Plokštumos ir kryptys
6. Deimantinė grotelė
7. Masinis kristalų augimas
8. Vieno kristalo luitų augimas
9. Vafliai
10. Epitaksinis augimas
11. Garų fazės epitaksija
12. Molekulinio pluošto epitaksija
13. Krovinių nešikliai puslaidininkiuose
14. Efektyviosios Mišios
15. Esminė medžiaga
16. Išorinė medžiaga
17. Elektronai ir skylės kvantiniuose šuliniuose
18. Fermio lygis
19. Kompensacija ir erdvės krūvio neutralumas
20. Dreifas ir pasipriešinimas
21. Optinė sugertis
22. Fotoliuminescencija
23. Elektroliuminescencija
24. Nešiklio tarnavimo laikas ir fotolaidumas
25. Tiesioginė elektronų ir skylių rekombinacija
26. Netiesioginė rekombinacija; Gaudymas spąstais
27. Steady State Carrier Generation; Kvazi-Fermi lygiai
28. Fotolaidžiai prietaisai
29. Difuzijos procesai
30. Nešėjų difuzija ir dreifas: įmontuoti laukai
31. Difuzija ir rekombinacija; Tęstinumo lygtis
32. Pastovios būsenos nešiklio įpurškimas: difuzijos ilgis
33. Gradientai kvazi-Fermi lygiuose
34. Nešiklio koncentracijų priklausomybė nuo temperatūros
35. Temperatūros ir dopingo poveikis mobilumui
36. Aukšto lauko efektai
37. Halės efektas
38. P-n sandūrų gamyba: terminė oksidacija
39. P-N sandūros difuzija
40. Greitas terminis apdorojimas
41. Jonų implantacija
42. Cheminis nusodinimas iš garų (CVD)
43. Fotolitografija
44. Ofortas
45. Metalizavimas
46. ​​Pusiausvyros sąlygos
47. Pusiausvyros Fermi lygiai
48. Erdvės krūvis sankryžoje
49. Pirmyn ir atgal nukreiptos sankryžos
50. Nešiklio įpurškimas
51. Atvirkštinis poslinkis
52. Atvirkštinio poslinkio suskirstymas
53. Zenerio suskirstymas
54. Lavinos griūtis
55. Lygintuvai
56. Suskirstymo diodas
57. Laikinosios ir A-C sąlygos
58. Reverse Recovery Transient
59. Idealus diodų modelis
60. Kontaktinio potencialo poveikis nešiklio injekcijai
61. Perjungimo diodai
62. P-n sandūrų talpa
63. Rekombinacija ir generavimas pereinamojo laikotarpio regione
64. Ohminiai nuostoliai
65. Suskirstytos sankryžos
66. Metalinės puslaidininkinės jungtys: Šotkio barjerai
67. Dabartiniai transporto procesai
68. Termioninės emisijos teorija
69. Difuzijos teorija
70. Termioninės emisijos-difuzijos teorija
71. Kontaktų taisymas
72. Tuneliavimo srovė
73. Mažumos-vežėjo injekcija
74. MIS tunelio diodas
75. Barjeros aukščio matavimas
76. Suaktyvinimas-Energijos matavimas
77. Fotoelektrinis matavimas
78. Ohminiai kontaktai

Visos temos nėra įtrauktos į sąrašą dėl simbolių apribojimų.

Kiekvienoje temoje pateikiamos diagramos, lygtys ir kitos grafinių vaizdų formos, kad būtų lengviau mokytis ir greičiau suprasti.

Funkcijos :
* Pagal skyrių užbaigtos temos
* Turtingas vartotojo sąsajos išdėstymas
* Patogus skaitymo režimas
* Svarbios egzaminų temos
* Labai paprasta vartotojo sąsaja
* Apimkite daugumą temų
* Vienu spustelėjimu susisiekite visą knygą
* Mobiliesiems optimizuotas turinys
* Mobiliesiems optimizuoti vaizdai

Ši programa bus naudinga norint greitai sužinoti. Naudojant šią programą, visų koncepcijų peržiūra gali būti baigta per kelias valandas.

Užuot suteikę mums žemesnį įvertinimą, atsiųskite mums savo užklausas, problemas ir pateikite vertingų įvertinimų bei pasiūlymų, kad galėtume tai apsvarstyti būsimiems atnaujinimams. Mes mielai juos išspręsime už jus.