Droid Tesla Pro

Vladimir Djokic Djole

Bu tətbiq haqqında

DroidTesla sadə və güclü bir dövrə simulyatorudur.
Elektron dövrə dizaynı və dizaynı ilə yeni tanış olan tələbələr üçün mükəmməldir,
hobbi və sənətkarlar və hətta sürətli olmaq istəyən təcrübəli mütəxəssislər,
elektron dövrə dizayn hesablamalarını yerinə yetirmək üçün lazımlı bir vasitədir.

Multisim, LTspice, OrCad və ya PSpice kimi PC üçün ən yaxşı SPICE alətlərində tapa bilmədiyiniz interaktivlik və yenilikdir (ticarət nişanları müvafiq sahiblərinə məxsusdur).

DroidTesla simulyatoru, Kirchoff’un Hazırkı Qanunu (KCL) istifadə edərək əsas müqavimət sxemlərini həll edir.
bir dövrə sinifindəki bir tələbənin oxuduğu kimi, simulyator sistematik olaraq uyğun bir matris meydana gətirir
KCL ilə və sonra müxtəlif cəbrlərdən istifadə edərək bilinməyən miqdarları həll etməyə davam edir
Gauss eliminasiyası və seyrək matris üsulları kimi texnikalar.

Diod və BJT kimi qeyri-xətti komponentlər üçün DroidTesla mühərriki cavabda ilkin bir təxmin edərək təxmini həll axtarır
və sonra bu təxminə əsaslanan ardıcıl hesablamalarla həll yolu yaxşılaşdırmaq.
Buna təkrarlanan bir proses deyilir.DroidTesla simulyasiyası Newton-Raphson iterativ alqoritmindən istifadə edir
qeyri-xətti I / V münasibətləri olan dövrələri həll etmək.

Reaktiv elementlər (kondansatörler və induktorlar) üçün DroidTesla, reaktiv elementlərin vəziyyətini zamanın funksiyası kimi təqrib etmək üçün ədədi inteqrasiya metodlarından istifadə edir.
DroidTesla, reaktiv elementlərin vəziyyətinə yaxınlaşmaq üçün Trapezoidal (daha sonra bir GEAR metodu əlavə edəcəyəm) inteqrasiya metodlarını təklif edir.
Əksər dövrələr üçün hər iki metod da demək olar ki, eyni nəticələr verəcəkdir,
ümumiyyətlə Gear metodunun daha sabit olduğu, ancaq trapezoidal metodun daha sürətli və daha dəqiq olduğu düşünülür.

DroidTesla hələlik simulyasiya edə bilər:
-Resistor
-Kondensator
- İnduktor
-Potentiometr
-İşıq Ampul
-İdeal əməliyyat gücləndiricisi
-Bipolyar keçid transistoru (NPN PNP)
-MOSFET N-kanal tükənməsi
-MOSFET N kanal inkişaf etdirilməsi
-MOSFET P kanalının tükənməsi
-MOSFET P kanalının genişləndirilməsi
-JFET N və P
-PN Diod
-PN Led diod
-PN Zener diodu
-AC cərəyan mənbəyi
-DC cərəyan mənbəyi
-AC gərginlik mənbəyi
-DC gərginliyi (batareya) mənbəyi
-CCVS - cari idarə olunan gərginlik mənbəyi
-CCCS - cari idarə olunan cərəyan mənbəyi
-VCVS - gərginliklə idarə olunan gərginlik mənbəyi
-VCCS - gərginliklə idarə olunan cərəyan mənbəyi
-Qadına dalğa gərginliyi mənbəyi
-Üçbucaq dalğa gərginlik mənbəyi
-AC ampermetr
-DC ampermetri
-AC voltmetr
-DC voltmetr
-İki şanslı osiloskop
-SPST açarı
-SPDT açarı
-Gərginlik nəzarətli açar
-Cari idarə olunan açar
-VƏ
-NAND
-VEYA
-NOR
-YOX
-XOR
-XNOR
-JK flip-flop
-7 Seqment Ekranı
-D flip-flop
-Röla
-IC 555
-Transformator
-Graetz Circuit

Bir edirsinizsə
osilatorlardan bəzilərinə kiçik bir başlanğıc dəyər qoymalısınız
reaktiv elementlər. (nümunələrə baxın)

Yeniliklər

ui improvements