VLSI Design

Engineering Wale Baba

Утрымлівае аб’явы

Пра гэту праграму

Гэта дадатак з'яўляецца поўным бясплатным даведнікам па праектаванні VLSI, які ахоплівае важныя тэмы, нататкі, матэрыялы па курсе.

у ім падрабязна больш за 90 тэм праектавання VLSI. Гэтыя тэмы падзелены на 5 блокаў.

Гэта частка адукацыі ў галіне электронікі і камунікацый, якая змяшчае важныя тэмы, нататкі, навіны і блог на гэтую тэму. Спампуйце прыкладанне ў якасці кароткага даведніка і электроннай кнігі па гэтай тэме электронікі і камунікацый.

Дадатак прызначана для хуткага навучання, пераглядаў, рэкамендацый падчас экзаменаў і сумоўяў.

Гэта дадатак ахоплівае большасць сумежных тэм і падрабязнае тлумачэнне з усімі асноўнымі тэмамі.

Некаторыя з тэм, якія разглядаюцца ў гэтай электроннай кнізе па тэхніцы:

1. Паўправадніковыя памяці : Уводзіны і тыпы
2. Памяць толькі для чытання (ПЗУ)
3. Ячэйка DRAM з трох транзістараў
4. Адзін транзістар DRAM Cell
5. Флэш-памяць
6. Нізкая магутнасць лагічных схем CMOS: увядзенне
7. Канструкцыя CMOS інвертараў
8. МОП-інвертары: увядзенне ў камутацыйныя характарыстыкі
9. Тэхнікі сканавання
10. Убудаваныя метады саматэставання (BIST).
11. Гістарычная перспектыва праектавання СБИС: закон Мура
12. Класіфікацыя тыпаў лічбавых схем CMOS
13. Прыклад праектавання схемы
14. Метадалогіі праектавання СБИС
15. Паток праектавання СБИС
16. Іерархія дызайну
17. Паняцце рэгулярнасці, модульнасці і лакальнасці
18. Выраб CMOS
19. Паток працэсу вырабу: асноўныя этапы
20. Выраб транзістара nMOS
21. Вытворчасць CMOS: працэс р-лункі
22. Выраб CMOS: працэс n-свідравіны
23. Выраб CMOS: працэс з падвойнай ваннай
24. Налепка дыяграм і дызайн макета маскі
25. МОП-транзістар : фізічная структура
26. Сістэма MOS пры знешнім зрушэнні
27. Структура і функцыянаванне MOSFET
28. Парогавае напружанне
29. Бягучыя характарыстыкі напружання MOSFET
30. Маштабаванне Mosfet
31. Эфекты маштабавання
32. Малыя эфекты геаметрыі
33. Ёмістасці МОП
34. МОП-інвертар
35. Перадатныя характарыстыкі напружання (VTC) МОП-інвертара
36. Інвертары з нагрузкай MOSFET n-тыпу
37. Інвертар рэзістыўнай нагрузкі
38. Канструкцыя інвертараў знясілення нагрузкі
39. CMOS інвертар
40. Вызначэння часу затрымкі
41. Разлік часу затрымкі
42. Канструкцыя інвертара з абмежаваннямі затрымкі: Прыклад
43. Камбінацыйныя лагічныя схемы МОП: увядзенне
44. Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: вароты NOR з двума ўваходамі
45. Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: абагульненая структура NOR з некалькімі уваходамі
46. ​​Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: аналіз пераходных працэсаў варотаў NOR
47. Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: вароты NAND з двума ўваходамі
48. Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: абагульненая структура NAND з некалькімі уваходамі
49. Лагічныя схемы MOS з знясіленнем нагрузак nMOS: аналіз пераходных працэсаў шлюза NAND
50. Лагічныя схемы CMOS: затвор NOR2 (два ўваходных NOR).
51. Шлюз CMOS NAND2 (два ўваходных NAND).
52. Схема простых лагічных логічных варотаў CMOS
53. Складаныя лагічныя схемы
54. Складаныя CMOS лагічныя вароты
55. Схема складаных лагічных логічных варотаў CMOS
56. AOI і OAI Гейтс
57. Псеўда-nMOS Gates
58. Схема поўнага сумарніка CMOS і сумаршчык пульсацый
59. Шлюзы перадачы CMOS (праходныя вароты)
60. Камплементарная логіка праходнага транзістара (CPL)
61. Схемы паслядоўнай логікі МОП: Увядзенне
62. Паводзіны бістабільных элементаў
63. Схема зашчапкі SR
64. Гадзіннік SR Зашчапка
65. Гадзіннік JK Зашчапка
66. Master-Slave трыгер
67. CMOS D-зашчапка і трыгер з пабоем
68. Дынамічныя лагічныя схемы: Уводзіны
69. Асноўныя прынцыпы схем прахадных транзістараў

Усе тэмы не ў спісе з-за абмежавання сімвалаў.

Кожная тэма дапоўнена дыяграмамі, ураўненнем і іншымі формамі графічнага прадстаўлення для лепшага засваення і хуткага разумення.

Гэта дадатак будзе карысна для хуткай даведкі. Перагляд усіх канцэпцый можа быць завершаны на працягу некалькіх гадзін з дапамогай гэтага прыкладання.

Замест таго, каб даваць нам больш нізкі рэйтынг, калі ласка, дасылайце нам свае запыты, праблемы і дайце нам каштоўную ацэнку і прапановы, каб мы маглі разгледзець гэта для будучых абнаўленняў. Мы будзем рады вырашыць іх для вас.