Droid Tesla Pro

Vladimir Djokic Djole

Sobre l'aplicació

DroidTesla és un simulador de circuits senzill i potent.
Perfecte per a estudiants novells en disseny i construcció de circuits electrònics,
aficionats i jugadors i fins i tot professionals experimentats que vulguin un ràpid,
eina pràctica per realitzar càlculs de disseny de circuits electrònics.

Això és interactivitat i innovació que no podeu trobar a les millors eines SPICE per a PC com Multisim, LTspice, OrCad o PSpice (les marques comercials pertanyen als seus respectius propietaris).

El simulador DroidTesla resol circuits resistius bàsics mitjançant la llei actual de Kirchoff (KCL)
de la mateixa manera que ho faria un estudiant d'una classe de circuits, el simulador forma sistemàticament una matriu d'acord
amb KCL i després es resol la quantitat desconeguda utilitzant diversos algebraics
tècniques com l'eliminació de Gauss i les tècniques de matriu dispersa.

Per a components no lineals, com el díode i el BJT, el motor DroidTesla busca la solució aproximada fent una primera conjectura en una resposta
i després millorar la solució amb càlculs successius basats en aquesta suposició.
Això s’anomena procés iteratiu. La simulació DroidTesla utilitza l’algorisme iteratiu de Newton-Raphson
per resoldre circuits amb relacions I / V no lineals.

Per als elements reactius (condensadors i inductors), el DroidTesla utilitza mètodes d’integració numèrica per aproximar l’estat dels elements reactius en funció del temps.
DroidTesla ofereix els mètodes d’integració trapezoïdal (afegiré més endavant un mètode GEAR) per aproximar l’estat dels elements reactius.
Tot i que per a la majoria de circuits, tots dos mètodes proporcionaran resultats gairebé idèntics,
generalment es considera que el mètode Gear és més estable, però el mètode trapezoïdal és més ràpid i precís.

DroidTesla per ara pot simular:
-Resistència
-Condensador
-Inductor
-Potentiòmetre
-Bombeta
-Amplificador operatiu ideal
-Transistor de connexió bipolar (NPN PNP)
-Esgotament del canal N de MOSFET
-Millora del canal N de MOSFET
-Esgotament del canal P de MOSFET
-Millora del canal P de MOSFET
-JFET N i P
-Diode PN
-Diod de led PN
-Diode Zener PN
-Font de corrent CA.
-Font de corrent DC
-Font de tensió CA.
-Font de tensió DC (bateria)
-CCVS - font de tensió controlada per corrent
-CCCS: font de corrent controlada actualment
-VCVS - font de tensió controlada per tensió
-VCCS - font de corrent de tensió controlada
-Font de tensió d'ona quadrada
-Font de tensió d'ona triangular
-Amplímetre AC
-Ampèrmetre DC
-Vàmetre CA.
-Voltímetre DC
-Oscil·loscopi de dos canals
-Commutador SPST
-Commutador SPDT
-Interruptor controlat per tensió
-Interruptor controlat per corrent
-I
-NAND
-O
-NOR
-NO
-XOR
-XNOR
-Xancletes JK
-7 segments de visualització
Xancletes en D
-Relay
-IC 555
-Transformador
-Circuit de Graetz

Si esteu fent un
oscil·ladors heu de posar un valor inicial petit a alguns dels
elements reactius (vegeu els exemples)

Novetats

UI improvements