Basics Of Electronic Devices

Engineering Wale Baba

Sisaldab reklaame

Rakenduse teave

Rakendus on mõeldud kiireks õppimiseks, muudatusteks, viideteks eksamite ja intervjuude ajal.

Sellel rakendusel on 140 teemat 5 peatükis koos diagrammide, võrrandite ja muude graafiliste esitusviisidega, et paremini õppida ja kiiresti mõista.

See rakendus hõlmab enamikku seotud teemasid ja üksikasjalikku selgitust kõigi põhiteemadega.

Mõned elektrooniliste seadmete rakenduses käsitletavad teemad on järgmised:

1. Mööduvad ja vahelduvvoolu tingimused: salvestatud laengu ajaline muutumine
2. Fotodiood
3. P-N-P-N diood
4. Pooljuhiga juhitav alaldi
5. Valgusdiood
6. Tunneldiood
7. TRIAC
8. DIAC
9. Isoleeritud värava bipolaarne transistor
10. GUNN-diood- Põhiprintsiip
11. GUNN-diood – ülekantud elektronide mehhanism
12. PNPN-diood – edasisuunav blokeerimine ja juhtiv režiim
13. Päikesepatareide tööpõhimõte
14. Päikesepatarei- I-V omadused
15. Alaldid
16. Jaotusdiood
17. Fotodetektorid
18. Fotodioodi võrrandid
19. PIN FOTODIOOD
20. Laviini fotodiood
21. Valgust kiirgavad materjalid
22. IMPATT diood
23. IMPATT dioodi töö
24. Pooljuhtlaserid
25. Pooljuhtlaserid – ettepoole eelpingestatud
26. Heterojunction laserite kasutamine
27. Metallist pooljuhtide väljatransistorid (MESFET)
28. MESFET – suure elektronliikuvuse transistor (HEMT)
29. Metallist isolaatori pooljuht-FET (MISFET)
30. MISFET erinevates töötingimustes
31. Ideaalne MOS-kondensaator
32. MOSFET: tegelike pindade efektid
33. MOSFET: liidese laadimine
34. MOSFET: lävipinge
35. MOS-i mahtuvuspinge analüüs
36. MOSFET: ajast sõltuvad mahtuvuse mõõtmised
37. MOS-värava oksiidide voolu-pinge karakteristikud
38. MOSFET
39. MOSFET: Väljundomadused
40. MOSFETi juhtivus ja transjuhtivus
41. MOSFET: ülekande omadused
42. MOSFET: liikuvusmudelid
43. MOSFET: efektiivne põikväli
44. Lühikanali MOSFET l-V omadused
45. MOSFET: lävipinge juhtimine
46. ​​MOSFET: läve reguleerimine ioonide implanteerimisega
47. MOSFET: Substraadi nihkeefektid
48. MOSFET: alamläviomadused
49. MOSFETi ekvivalentahel
50. MOSFETi skaleerimine ja lühikese kanali efekt
51. MOSFET: kuuma kandja efektid
52. MOSFET: äravoolust tingitud barjääri langetamine
53. MOSFETi lühikese kanali efekt ja kitsa laiuse efekt
54. Värava poolt põhjustatud äravoolu leke MOSFETis
55. BJT TOIMIMISE ALUSED
56. BJT: Transistori aukude ja elektronide voolu kokkuvõte
57. BJT KASUTAMISE ALUSED: PN-ristmik
58. VÕIMENDAMINE BJTS-iga
59. TASAKAALUSTINGIMUSED: kontaktipotentsiaal
60. Fermi tasakaalutasemed
61. Kosmoselaeng ristmikul
62. OPTILINE NEELDUVUS
63. OPTILISE NEELDUMISE EKSPERIMENT
64. LUMINESTSENTS
65. Fotoluminestsents

Kõik teemad pole tähemärgipiirangute tõttu loetletud.

Funktsioonid :
* Peatüki järgi lõpetage teemad
* Rikkalik kasutajaliidese paigutus
* Mugav lugemisrežiim
* Olulised eksamiteemad
* Väga lihtne kasutajaliides
* Hõlmab enamikku teemasid
* Ühe klõpsuga saate seotud kogu raamatu
* Mobiilile optimeeritud sisu
* Mobiilile optimeeritud pildid

See rakendus on kiireks viitamiseks kasulik. Selle rakenduse abil saab kõigi kontseptsioonide läbivaatamise lõpule viia mitme tunni jooksul.

Elektroonilised seadmed ehk Microelectronic Devices and Circuits on osa erinevate ülikoolide elektroonika-, elektri- ja arvutiteaduse inseneriõppe kursustest.

Selle asemel, et anda meile madalam hinnang, saatke meile oma päringud ja probleemid ning andke meile väärtuslik hinnang ja soovitus, et saaksime seda tulevaste värskenduste jaoks kaaluda. Lahendame need teie eest hea meelega.