増補版 はじめての半導体デバイス

執行 直之

2022年4月 · 近代科学社

關於這本電子書

本書は「はじめての半導体デバイス」の増補版。半導体デバイスは、大学、高専の電気・電子系学科では必須授業である。
しかし厳密な講義を行おうとすると量子力学から解き明かさなければならなくなり、大変ハードルが高くなる。本書ではあえてそこには触れず、半導体デバイスの基礎を直観的かつ本質的に理解することを目指し、式よりも図を多く用いて理解出来るように工夫している。また、半導体デバイスを理解する上で最も有効なエネルギーバンド図を使って説明している。
増補版ではMOSトランジスタについて加筆し、電流電圧特性について本質的に解説。付録でもMOSトランジスタの背景を解説するなど、より充実した内容となっている。
【目次】
1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明
2章 半導体の基礎物理
3章 pn 接合ダイオード
4章 バイポーラトランジスタ
5章 MOS キャパシタ
6章 MOSトランジスタ
7章 超LSIデバイス
付録

關於作者

執行 直之
東北大学 工学研究科 情報工学専攻修了．博士（工学）．IEEE Fellow．
1980 年（株）東芝 入社．2019 年 キオクシア株式会社．
専門は，半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計．
1982 年に 3 次元デバイス・シミュレータを開発し，デバイスの微細化での問題を解明した．
さらに，少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して，デバイス・シミュレータを実用化し，超 LSI の実現に貢献した．
また，静電破壊 (ESD) やソフトエラーなどの問題も解決した．
フラッシュメモリのデバイス設計に貢献した．
パワーデバイスであるIGBTの研究も行った．
共著に『MOS 集積回路の基礎』（近代科学社），『最新半導体プロセス・デバイス・シミュレーション技術』（リアライズ社）などがある．
2001 年から現在まで神奈川大学 工学部 非常勤講師．
2004 年から 2 年間，東京工業大学大学院 非常勤講師．
2008 年東北大学 大学院 客員教授．
2017 年から 2 年間，東京工業大学 研究員．