第三代半導體科技趨勢觀測

陳仕誠

sht 2021 · 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心

Rreth këtij libri elektronik

近幾年，由於5G通訊與電動車等新興科技發展，矽基元件已逐漸無法滿足高頻與高功率產品的需求，氮化鎵與碳化矽等第三代半導體將成為要角。因此，本研究深入討論第三代半導體與核心戰略產業發展之關聯性，同時盤點我國的產學研能量，作為政府未來資源配置之參考依據。

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陳仕誠博士畢業於國立交通大學電子物理所，曾任美國能源部勞倫斯柏克萊國家實驗室與加州大學柏克萊分校博士後研究員、英國南安普敦大學訪問學人。現為財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心助理研究員，負責科技政策之研究，亦為光電科技工程協進會化合物半導體特刊編輯委員。

作者特別感謝交通大學紀國鐘教授、郭浩中教授、洪瑞華教授、盧廷昌教授、郭政煌與連德軒教授，清華大學黃智方教授，中央大學綦振瀛教授與辛裕明教授，中興大學林佳鋒教授，成功大學王永和教授與周昱薰教授，中科院程一誠所長，工研院吳志毅所長與梁庭榕組長，國研院臺灣半導體研究中心沈昌宏組長與太空中心黃楓台博士，以及穩懋半導體李宗鴻策略長等專家委員於本報告撰寫中給予的大力協助與寶貴意見，讓本報告得以順利完成。