Effect of Growth Rate on the Structure and Stacking Disorder of SiC Crystals Grown by the Lely Method
Yoshizō Inomata
Jan 1969 · Air Force Cambridge Research Laboratories, Office of Aerospace Research, United States Air Force
e-Buku
19
Halaman
Perihal e-buku ini
The relation between the structure of SiC and its growth rate was studied at 2500 degrees C. The setting of the growth condition was improved by limiting the zone of recrystallization in the growth cavity. Super-saturation in the cavity was changed in several steps by the use of the cavity wall and thermo-insulator.
Berikan rating untuk e-Buku ini
Beritahu kami pendapat anda.
Maklumat pembacaan
Telefon pintar dan tablet
Pasang apl Google Play Books untuk Android dan iPad/iPhone. Apl ini menyegerak secara automatik dengan akaun anda dan membenarkan anda membaca di dalam atau luar talian, walau di mana jua anda berada.
Komputer riba dan komputer
Anda boleh mendengar buku audio yang dibeli di Google Play menggunakan penyemak imbas web komputer anda.
eReader dan peranti lain
Untuk membaca pada peranti e-dakwat seperti Kobo eReaders, anda perlu memuat turun fail dan memindahkan fail itu ke peranti anda. Sila ikut arahan Pusat Bantuan yang terperinci untuk memindahkan fail ke e-Pembaca yang disokong.
