Effect of Growth Rate on the Structure and Stacking Disorder of SiC Crystals Grown by the Lely Method
Yoshizō Inomata
jan. 1969 · Air Force Cambridge Research Laboratories, Office of Aerospace Research, United States Air Force
E-bok
19
Sider
Om denne e-boken
The relation between the structure of SiC and its growth rate was studied at 2500 degrees C. The setting of the growth condition was improved by limiting the zone of recrystallization in the growth cavity. Super-saturation in the cavity was changed in several steps by the use of the cavity wall and thermo-insulator.
Vurder denne e-boken
Fortell oss hva du mener.
Hvordan lese innhold
Smarttelefoner og nettbrett
Installer Google Play Bøker-appen for Android og iPad/iPhone. Den synkroniseres automatisk med kontoen din og lar deg lese både med og uten nett – uansett hvor du er.
Datamaskiner
Du kan lytte til lydbøker du har kjøpt på Google Play, i nettleseren på datamaskinen din.
Lesebrett og andre enheter
For å lese på lesebrett som Kobo eReader må du laste ned en fil og overføre den til enheten din. Følg den detaljerte veiledningen i brukerstøtten for å overføre filene til støttede lesebrett.
