Effect of Growth Rate on the Structure and Stacking Disorder of SiC Crystals Grown by the Lely Method
Yoshizō Inomata
јан 1969. · Air Force Cambridge Research Laboratories, Office of Aerospace Research, United States Air Force
Е-књига
19
Страница
О овој е-књизи
The relation between the structure of SiC and its growth rate was studied at 2500 degrees C. The setting of the growth condition was improved by limiting the zone of recrystallization in the growth cavity. Super-saturation in the cavity was changed in several steps by the use of the cavity wall and thermo-insulator.
Оцените ову е-књигу
Јавите нам своје мишљење.
Информације о читању
Паметни телефони и таблети
Инсталирајте апликацију Google Play књиге за Android и iPad/iPhone. Аутоматски се синхронизује са налогом и омогућава вам да читате онлајн и офлајн где год да се налазите.
Лаптопови и рачунари
Можете да слушате аудио-књиге купљене на Google Play-у помоћу веб-прегледача на рачунару.
Е-читачи и други уређаји
Да бисте читали на уређајима које користе е-мастило, као што су Kobo е-читачи, треба да преузмете фајл и пренесете га на уређај. Пратите детаљна упутства из центра за помоћ да бисте пренели фајлове у подржане е-читаче.
