Teave selle e-raamatu kohta
The book presents an in-depth review and analysis of Silicon Carbide device processing. The main topics are: (1) Silicon Carbide Discovery, Properties and Technology, (2) Processing and Application of Dielectrics in Silicon Carbide Devices, (3) Doping by Ion Implantation, (4) Plasma Etching and (5) Fabrication of Silicon Carbide Nanostructures and Related Devices. The book is also suited as supplementary textbook for graduate courses. Keywords: Silicon Carbide, SiC, Technology, Processing, Semiconductor Devices, Material Properties, Polytypism, Thermal Oxidation, Post Oxidation Annealing, Surface Passivation, Dielectric Deposition, Field Effect Mobility, Ion Implantation, Post Implantation Annealing, Channeling, Surface Roughness, Dry Etching, Plasma Etching, Ion Etching, Sputtering, Chemical Etching, Plasma Chemistry, Micromasking, Microtrenching, Nanocrystal, Nanowire, Nanotube, Nanopillar, Nanoelectromechanical Systems (NEMS).
Hinnake seda e-raamatut
Andke meile teada, mida te arvate.
Lugemisteave
Nutitelefonid ja tahvelarvutid
Installige rakendus Google Play raamatud Androidile ja iPadile/iPhone'ile. See sünkroonitakse automaatselt teie kontoga ja see võimaldab teil asukohast olenemata lugeda nii võrgus kui ka võrguühenduseta.
Sülearvutid ja arvutid
Google Playst ostetud audioraamatuid saab kuulata arvuti veebibrauseris.
E-lugerid ja muud seadmed
E-tindi seadmetes (nt Kobo e-lugerid) lugemiseks peate faili alla laadima ja selle oma seadmesse üle kandma. Failide toetatud e-lugeritesse teisaldamiseks järgige üksikasjalikke abikeskuse juhiseid.
