Advancing Silicon Carbide Electronics Technology II: Core Technologies of Silicon Carbide Device Processing

·
· Materials Research Forum LLC
ઇ-પુસ્તક
292
પેજ
પાત્ર

આ ઇ-પુસ્તક વિશે

The book presents an in-depth review and analysis of Silicon Carbide device processing. The main topics are: (1) Silicon Carbide Discovery, Properties and Technology, (2) Processing and Application of Dielectrics in Silicon Carbide Devices, (3) Doping by Ion Implantation, (4) Plasma Etching and (5) Fabrication of Silicon Carbide Nanostructures and Related Devices. The book is also suited as supplementary textbook for graduate courses. Keywords: Silicon Carbide, SiC, Technology, Processing, Semiconductor Devices, Material Properties, Polytypism, Thermal Oxidation, Post Oxidation Annealing, Surface Passivation, Dielectric Deposition, Field Effect Mobility, Ion Implantation, Post Implantation Annealing, Channeling, Surface Roughness, Dry Etching, Plasma Etching, Ion Etching, Sputtering, Chemical Etching, Plasma Chemistry, Micromasking, Microtrenching, Nanocrystal, Nanowire, Nanotube, Nanopillar, Nanoelectromechanical Systems (NEMS).

આ ઇ-પુસ્તકને રેટિંગ આપો

તમે શું વિચારો છો અમને જણાવો.

માહિતી વાંચવી

સ્માર્ટફોન અને ટૅબ્લેટ
Android અને iPad/iPhone માટે Google Play Books ઍપ ઇન્સ્ટૉલ કરો. તે તમારા એકાઉન્ટ સાથે ઑટોમૅટિક રીતે સિંક થાય છે અને તમને જ્યાં પણ હો ત્યાં તમને ઑનલાઇન અથવા ઑફલાઇન વાંચવાની મંજૂરી આપે છે.
લૅપટૉપ અને કમ્પ્યુટર
Google Play પર ખરીદેલ ઑડિઓબુકને તમે તમારા કમ્પ્યુટરના વેબ બ્રાઉઝરનો ઉપયોગ કરીને સાંભળી શકો છો.
eReaders અને અન્ય ડિવાઇસ
Kobo ઇ-રીડર જેવા ઇ-ઇંક ડિવાઇસ પર વાંચવા માટે, તમારે ફાઇલને ડાઉનલોડ કરીને તમારા ડિવાઇસ પર ટ્રાન્સફર કરવાની જરૂર પડશે. સપોર્ટેડ ઇ-રીડર પર ફાઇલો ટ્રાન્સ્ફર કરવા માટે સહાયતા કેન્દ્રની વિગતવાર સૂચનાઓ અનુસરો.