Advancing Silicon Carbide Electronics Technology II: Core Technologies of Silicon Carbide Device Processing

·
· Materials Research Forum LLC
សៀវភៅ​អេឡិចត្រូនិច
292
ទំព័រ
មានសិទ្ធិ

អំពីសៀវភៅ​អេឡិចត្រូនិកនេះ

The book presents an in-depth review and analysis of Silicon Carbide device processing. The main topics are: (1) Silicon Carbide Discovery, Properties and Technology, (2) Processing and Application of Dielectrics in Silicon Carbide Devices, (3) Doping by Ion Implantation, (4) Plasma Etching and (5) Fabrication of Silicon Carbide Nanostructures and Related Devices. The book is also suited as supplementary textbook for graduate courses. Keywords: Silicon Carbide, SiC, Technology, Processing, Semiconductor Devices, Material Properties, Polytypism, Thermal Oxidation, Post Oxidation Annealing, Surface Passivation, Dielectric Deposition, Field Effect Mobility, Ion Implantation, Post Implantation Annealing, Channeling, Surface Roughness, Dry Etching, Plasma Etching, Ion Etching, Sputtering, Chemical Etching, Plasma Chemistry, Micromasking, Microtrenching, Nanocrystal, Nanowire, Nanotube, Nanopillar, Nanoelectromechanical Systems (NEMS).

វាយតម្លៃសៀវភៅ​អេឡិចត្រូនិកនេះ

ប្រាប់យើងអំពីការយល់ឃើញរបស់អ្នក។

អាន​ព័ត៌មាន

ទូរសព្ទឆ្លាតវៃ និង​ថេប្លេត
ដំឡើងកម្មវិធី Google Play Books សម្រាប់ Android និង iPad/iPhone ។ វា​ធ្វើសមកាលកម្ម​ដោយស្វ័យប្រវត្តិជាមួយ​គណនី​របស់អ្នក​ និង​អនុញ្ញាតឱ្យ​អ្នកអានពេល​មានអ៊ីនធឺណិត ឬគ្មាន​អ៊ីនធឺណិត​នៅគ្រប់ទីកន្លែង។
កុំព្យូទ័រ​យួរដៃ និងកុំព្យូទ័រ
អ្នកអាចស្ដាប់សៀវភៅជាសំឡេងដែលបានទិញនៅក្នុង Google Play ដោយប្រើកម្មវិធីរុករកតាមអ៊ីនធឺណិតក្នុងកុំព្យូទ័ររបស់អ្នក។
eReaders និង​ឧបករណ៍​ផ្សេង​ទៀត
ដើម្បីអាននៅលើ​ឧបករណ៍ e-ink ដូចជា​ឧបករណ៍អាន​សៀវភៅអេឡិចត្រូនិក Kobo អ្នកនឹងត្រូវ​ទាញយក​ឯកសារ ហើយ​ផ្ទេរវាទៅ​ឧបករណ៍​របស់អ្នក។ សូមអនុវត្តតាម​ការណែនាំលម្អិតរបស់មជ្ឈមណ្ឌលជំនួយ ដើម្បីផ្ទេរឯកសារ​ទៅឧបករណ៍អានសៀវភៅ​អេឡិចត្រូនិកដែលស្គាល់។