Informacje o e-booku
The unique materials properties of GaN-based semiconductors have stimulated a great deal of interest in research and development regarding nitride materials growth and optoelectronic and nitride-based electronic devices. High electron mobility and saturation velocity, high sheet carrier concentration at heterojunction interfaces, high breakdown field, and low thermal impedance of GaN-based films grown over SiC or bulk AlN substrates make nitride-based electronic devices very promising. The chemical inertness of nitrides is another key property.This volume, written by experts on different aspects of nitride technology, addresses the entire spectrum of issues related to nitride materials and devices, and it will be useful for technologists, scientists, engineers, and graduate students who are working on wide bandgap materials and devices. The book can also be used as a supplementary text for graduate courses on wide bandgap semiconductor technology.
Oceń tego e-booka
Podziel się z nami swoją opinią.
Informacje o czytaniu
Smartfony i tablety
Zainstaluj aplikację Książki Google Play na Androida i iPada/iPhone'a. Synchronizuje się ona automatycznie z kontem i pozwala na czytanie w dowolnym miejscu, w trybie online i offline.
Laptopy i komputery
Audiobooków kupionych w Google Play możesz słuchać w przeglądarce internetowej na komputerze.
Czytniki e-booków i inne urządzenia
Aby czytać na e-papierze, na czytnikach takich jak Kobo, musisz pobrać plik i przesłać go na swoje urządzenie. Aby przesłać pliki na obsługiwany czytnik, postępuj zgodnie ze szczegółowymi instrukcjami z Centrum pomocy.
