Despre această carte electronică
The unique materials properties of GaN-based semiconductors have stimulated a great deal of interest in research and development regarding nitride materials growth and optoelectronic and nitride-based electronic devices. High electron mobility and saturation velocity, high sheet carrier concentration at heterojunction interfaces, high breakdown field, and low thermal impedance of GaN-based films grown over SiC or bulk AlN substrates make nitride-based electronic devices very promising. The chemical inertness of nitrides is another key property.This volume, written by experts on different aspects of nitride technology, addresses the entire spectrum of issues related to nitride materials and devices, and it will be useful for technologists, scientists, engineers, and graduate students who are working on wide bandgap materials and devices. The book can also be used as a supplementary text for graduate courses on wide bandgap semiconductor technology.
Evaluează cartea electronică
Spune-ne ce crezi.
Informații despre lectură
Smartphone-uri și tablete
Instalează aplicația Cărți Google Play pentru Android și iPad/iPhone. Se sincronizează automat cu contul tău și poți să citești online sau offline de oriunde te afli.
Laptopuri și computere
Poți să asculți cărțile audio achiziționate pe Google Play folosind browserul web al computerului.
Dispozitive eReader și alte dispozitive
Ca să citești pe dispozitive pentru citit cărți electronice, cum ar fi eReaderul Kobo, trebuie să descarci un fișier și să îl transferi pe dispozitiv. Urmează instrucțiunile detaliate din Centrul de ajutor pentru a transfera fișiere pe dispozitivele eReader compatibile.
