Táto e‑kniha
The unique materials properties of GaN-based semiconductors have stimulated a great deal of interest in research and development regarding nitride materials growth and optoelectronic and nitride-based electronic devices. High electron mobility and saturation velocity, high sheet carrier concentration at heterojunction interfaces, high breakdown field, and low thermal impedance of GaN-based films grown over SiC or bulk AlN substrates make nitride-based electronic devices very promising. The chemical inertness of nitrides is another key property.This volume, written by experts on different aspects of nitride technology, addresses the entire spectrum of issues related to nitride materials and devices, and it will be useful for technologists, scientists, engineers, and graduate students who are working on wide bandgap materials and devices. The book can also be used as a supplementary text for graduate courses on wide bandgap semiconductor technology.
Ohodnoťte túto elektronickú knihu
Povedzte nám svoj názor.
Informácie o dostupnosti
Smartfóny a tablety
Nainštalujte si aplikáciu Knihy Google Play pre Android a iPad/iPhone. Automaticky sa synchronizuje s vaším účtom a umožňuje čítať online aj offline, nech už ste kdekoľvek.
Laptopy a počítače
Audioknihy zakúpené v službe Google Play môžete počúvať prostredníctvom webového prehliadača v počítači.
Čítačky elektronických kníh a ďalšie zariadenia
Ak chcete tento obsah čítať v zariadeniach využívajúcich elektronický atrament, ako sú čítačky e‑kníh Kobo, musíte stiahnuť príslušný súbor a preniesť ho do svojho zariadenia. Pri prenose súborov do podporovaných čítačiek e‑kníh postupujte podľa podrobných pokynov v centre pomoci.
