ఈ ఇ-పుస్తకం గురించి
The unique materials properties of GaN-based semiconductors have stimulated a great deal of interest in research and development regarding nitride materials growth and optoelectronic and nitride-based electronic devices. High electron mobility and saturation velocity, high sheet carrier concentration at heterojunction interfaces, high breakdown field, and low thermal impedance of GaN-based films grown over SiC or bulk AlN substrates make nitride-based electronic devices very promising. The chemical inertness of nitrides is another key property.This volume, written by experts on different aspects of nitride technology, addresses the entire spectrum of issues related to nitride materials and devices, and it will be useful for technologists, scientists, engineers, and graduate students who are working on wide bandgap materials and devices. The book can also be used as a supplementary text for graduate courses on wide bandgap semiconductor technology.
ఈ ఈ-బుక్‌కు రేటింగ్ ఇవ్వండి
మీ అభిప్రాయం మాకు తెలియజేయండి.
పఠన సమాచారం
స్మార్ట్‌ఫోన్‌లు, టాబ్లెట్‌లు
Android మరియు iPad/iPhone కోసం Google Play Books యాప్‌ ని ఇన్‌స్టాల్ చేయండి. ఇది మీ ఖాతాతో ఆటోమేటిక్‌గా సింక్ చేయబడుతుంది మరియు మీరు ఆన్‌లైన్‌లో ఉన్నా లేదా ఆఫ్‌లైన్‌లో ఉన్నా చదవడానికి మిమ్మల్ని అనుమతిస్తుంది.
ల్యాప్‌టాప్‌లు, కంప్యూటర్‌లు
మీ కంప్యూటర్ వెబ్ బ్రౌజర్ ఉపయోగించి Google Playలో కొనుగోలు చేసిన ఆడియోబుక్‌లను మీరు వినవచ్చు.
eReaders మరియు ఇతర పరికరాలు
Kobo eReaders వంటి e-ink పరికరాలలో చదవడానికి, మీరు ఫైల్‌ను డౌన్‌లోడ్ చేసి, దాన్ని మీ పరికరానికి బదిలీ చేయాలి. సపోర్ట్ చేయబడే ఈ-రీడర్‌లకు ఫైళ్లను బదిలీ చేయడానికి వివరణాత్మక సహాయ కేంద్రం సూచనలను ఫాలో చేయండి.
