Tietoa tästä e-kirjasta
Gate Dielectrics and MOS ULSIs provides necessary and sufficient information for those who wish to know well and go beyond the conventional SiO2 gate dielectric. The topics particularly focus on dielectric films satisfying the superior quality needed for gate dielectrics even in large-scale integration. And since the quality requirements are rather different between device applications, they are selected in an applicatipn-oriented manner, e.g., conventional SiO2 used in CMOS logic circuits, nitrided oxides, which recently became indispensable for flash memories, and composite ONO and ferroelectric films for passive capacitors used in DRAM applications. The book also covers issues common to all gate dielectrics, such as MOSFET physics, evaluation, scaling, and device application/integration for successful development. The information is as up to date as possible, especially for nanometer-range ultrathin gate-dielectric films indispensible in submicrometer ULSIs. The text together with abundant illustrations will take even the inexperienced reader up to the present high state of the art. It is the first book presenting nitrided gate oxides in detail.
Arvioi tämä e-kirja
Kerro meille mielipiteesi.
Tietoa lukemisesta
Älypuhelimet ja tabletit
Asenna Google Play Kirjat ‑sovellus Androidille tai iPadille/iPhonelle. Se synkronoituu automaattisesti tilisi kanssa, jolloin voit lukea online- tai offline-tilassa missä tahansa oletkin.
Kannettavat ja pöytätietokoneet
Voit kuunnella Google Playsta ostettuja äänikirjoja tietokoneesi selaimella.
Lukulaitteet ja muut laitteet
Jos haluat lukea kirjoja sähköisellä lukulaitteella, esim. Kobo-lukulaitteella, sinun täytyy ladata tiedosto ja siirtää se laitteellesi. Siirrä tiedostoja tuettuihin lukulaitteisiin seuraamalla ohjekeskuksen ohjeita.
