ဤ E-စာအုပ်အကြောင်း
Gate Dielectrics and MOS ULSIs provides necessary and sufficient information for those who wish to know well and go beyond the conventional SiO2 gate dielectric. The topics particularly focus on dielectric films satisfying the superior quality needed for gate dielectrics even in large-scale integration. And since the quality requirements are rather different between device applications, they are selected in an applicatipn-oriented manner, e.g., conventional SiO2 used in CMOS logic circuits, nitrided oxides, which recently became indispensable for flash memories, and composite ONO and ferroelectric films for passive capacitors used in DRAM applications. The book also covers issues common to all gate dielectrics, such as MOSFET physics, evaluation, scaling, and device application/integration for successful development. The information is as up to date as possible, especially for nanometer-range ultrathin gate-dielectric films indispensible in submicrometer ULSIs. The text together with abundant illustrations will take even the inexperienced reader up to the present high state of the art. It is the first book presenting nitrided gate oxides in detail.
ဤ E-စာအုပ်ကို အဆင့်သတ်မှတ်ပါ
သင့်အမြင်ကို ပြောပြပါ။
သတင်းအချက်အလက် ဖတ်နေသည်
စမတ်ဖုန်းများနှင့် တက်ဘလက်များ
Android နှင့် iPad/iPhone တို့အတွက် Google Play Books အက်ပ် ကို ထည့်သွင်းပါ။ ၎င်းသည် သင့်အကောင့်နှင့် အလိုအလျောက် စင့်ခ်လုပ်ပေးပြီး နေရာမရွေး အွန်လိုင်းတွင်ဖြစ်စေ သို့မဟုတ် အော့ဖ်လိုင်းတွင်ဖြစ်စေ ဖတ်ရှုခွင့်ရရှိစေပါသည်။
လက်တော့ပ်များနှင့် ကွန်ပျူတာများ
Google Play မှတစ်ဆင့် ဝယ်ယူထားသော အော်ဒီယိုစာအုပ်များအား သင့်ကွန်ပျူတာ၏ ဝဘ်ဘရောင်ဇာကို အသုံးပြု၍ နားဆင်နိုင်ပါသည်။
eReaders နှင့် အခြားကိရိယာများ
Kobo eReader များကဲ့သို့ e-ink စက်ပစ္စည်းပေါ်တွင် ဖတ်ရှုရန် ဖိုင်ကို ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပြီး သင့်စက်ထဲသို့ လွှဲပြောင်းပေးရမည်။ ထောက်ပံ့ထားသည့် eReader များသို့ ဖိုင်များကို လွှဲပြောင်းရန် ကူညီရေးဌာန အသေးစိတ် ညွှန်ကြားချက်များအတိုင်း လုပ်ဆောင်ပါ။
