Gettering Defects in Semiconductors

·
· Springer Series in Advanced Microelectronics Kniha 19 · Springer Science & Business Media
E‑kniha
388
Stránky

Podrobnosti o e‑knize

Gettering Defects in Semiconductors fulfills three basic purposes:

– to systematize the experience and research in exploiting various gettering techniques in microelectronics and nanoelectronics;

– to identify new directions in research, particularly to enhance the perspective of professionals and young researchers and specialists;

– to fill a gap in the contemporary literature on the underlying semiconductor-material theory.

The authors address not only well-established gettering techniques but also describe contemporary trends in gettering technologies from an international perspective. The types and properties of structural defects in semiconductors, their generating and their transforming mechanisms during fabrication are described. The primary emphasis is placed on classifying and describing specific gettering techniques, their specificity arising from both their position in a general technological process and the regimes of their application. This book addresses both engineers and material scientists interested in semiconducting materials theory and also undergraduate and graduate students in solid–state microelectronics and nanoelectronics. A comprehensive list of references provides readers with direction for further reading.

Ohodnotit e‑knihu

Sdělte nám, co si myslíte.

Informace o čtení

Telefony a tablety
Nainstalujte si aplikaci Knihy Google Play pro AndroidiPad/iPhone. Aplikace se automaticky synchronizuje s vaším účtem a umožní vám číst v režimu online nebo offline, ať jste kdekoliv.
Notebooky a počítače
Audioknihy zakoupené na Google Play můžete poslouchat pomocí webového prohlížeče v počítači.
Čtečky a další zařízení
Pokud chcete číst knihy ve čtečkách elektronických knih, jako např. Kobo, je třeba soubor stáhnout a přenést do zařízení. Při přenášení souborů do podporovaných čteček elektronických knih postupujte podle podrobných pokynů v centru nápovědy.