關於本電子書
In diesem Buch werden erstmals alle Gesichtspunkte der Halbleiterspeicher von den einzelnen Zellen bis zum Speichersystem einheitlich dargestellt. Es enthält sowohl für den Schaltkreisentwerfer als auch für den Computertechniker Informationen, die sonst nur verstreut in der Zeitschriftenliteratur zu finden sind. Das Buch behandelt den gesamten Komplex der mikroelektronischen Digitalspeicher für die Computertechnik. In den Hauptkapiteln über den Aufbau und die Funktion der Speicherschaltkreise (SRAM, DRAM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM) werden die Speicherzellen, die Speichermatrizen, die internen Ansteuerschaltungen sowie externe Steuerung der Speicheroperationen behandelt. Die übrigen Hauptkapitel sind der technischen Realisierung und dem Entwurf von Speicherbaugruppen und Speichern gewidmet, wobei den Fragen der Stromversorgung und Betriebsstromzuführung, der elektrischen und geometrischen Gestaltung der Ansteuerschaltungen, der Worterweiterung, des Refresh (bei DRAM) sowie der Datensicherung und Zuverlässigkeit der Speicher besondere Aufmerksamkeit gewidmet wird. Das Buch ist als Nachschlagewerk und Vertiefungslektüre für Hochschuldozenten und Praktiker, aber auch als Lehrbuch für Studierende an Universitäten, Hochschulen und Fachhochschulen bzw. HTL geeignet.
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