Testing Static Random Access Memories: Defects, Fault Models and Test Patterns

· Frontiers in Electronic Testing Kniha 26 · Springer Science & Business Media
E‑kniha
221
Stránky

Podrobnosti o e‑knize

Testing Static Random Access Memories covers testing of one of the important semiconductor memories types; it addresses testing of static random access memories (SRAMs), both single-port and multi-port. It contributes to the technical acknowledge needed by those involved in memory testing, engineers and researchers. The book begins with outlining the most popular SRAMs architectures. Then, the description of realistic fault models, based on defect injection and SPICE simulation, are introduced. Thereafter, high quality and low cost test patterns, as well as test strategies for single-port, two-port and any p-port SRAMs are presented, together with some preliminary test results showing the importance of the new tests in reducing DPM level. The impact of the port restrictions (e.g., read-only ports) on the fault models, tests, and test strategies is also discussed.
Features:
-Fault primitive based analysis of memory faults,
-A complete framework of and classification memory faults,
-A systematic way to develop optimal and high quality memory test algorithms,
-A systematic way to develop test patterns for any multi-port SRAM,
-Challenges and trends in embedded memory testing.

Ohodnotit e‑knihu

Sdělte nám, co si myslíte.

Informace o čtení

Telefony a tablety
Nainstalujte si aplikaci Knihy Google Play pro AndroidiPad/iPhone. Aplikace se automaticky synchronizuje s vaším účtem a umožní vám číst v režimu online nebo offline, ať jste kdekoliv.
Notebooky a počítače
Audioknihy zakoupené na Google Play můžete poslouchat pomocí webového prohlížeče v počítači.
Čtečky a další zařízení
Pokud chcete číst knihy ve čtečkách elektronických knih, jako např. Kobo, je třeba soubor stáhnout a přenést do zařízení. Při přenášení souborů do podporovaných čteček elektronických knih postupujte podle podrobných pokynů v centru nápovědy.